澤攸電鏡ZEM20Ultro：臺式電鏡觀測新體驗

Name: 澤攸電鏡ZEM20Ultro：臺式電鏡觀測新體驗
Brand: ZEPTOOLS/澤攸科技
Price: 1000000 CNY
Availability: InStock

產品簡介

澤攸電鏡ZEM20Ultro：臺式電鏡觀測新體驗
在材料表征、生命科學、電子制造等領域，對微觀結構的高分辨率觀測是推動研究與生產的核心需求。ZEM20Ultro 臺式場發(fā)射掃描電子顯微鏡（以下簡稱 ZEM20Ultro），以緊湊的臺式設計、穩(wěn)定的場發(fā)射性能與多元的分析功能，為各行業(yè)提供了便捷且可靠的微觀觀測解決方案，打破傳統(tǒng)大型電鏡對空間與操作環(huán)境的嚴苛限制。

產品型號：

更新時間：2026-01-06

廠商性質：代理商

訪問量：312

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澤攸電鏡ZEM20Ultro：臺式電鏡觀測新體驗

在材料表征、生命科學、電子制造等領域，對微觀結構的高分辨率觀測是推動研究與生產的核心需求。ZEM20Ultro 臺式場發(fā)射掃描電子顯微鏡（以下簡稱 ZEM20Ultro），以緊湊的臺式設計、穩(wěn)定的場發(fā)射性能與多元的分析功能，為各行業(yè)提供了便捷且可靠的微觀觀測解決方案，打破傳統(tǒng)大型電鏡對空間與操作環(huán)境的嚴苛限制。

一、產品細節(jié)與用材

ZEM20Ultro 采用一體化臺式結構，整體尺寸約為 850mm×650mm×1000mm（長 × 寬 × 高），重量控制在 120kg 以內，無需單獨建造專業(yè)實驗室，普通通風櫥或潔凈工作臺即可滿足安置需求，大幅降低了使用門檻。機身外殼選用冷軋鋼板與 ABS 工程塑料拼接，冷軋鋼板表面經過靜電噴塑處理，具備良好的抗腐蝕與抗刮擦性能；ABS 塑料部件則采用模具一體成型，減少接縫處的粉塵堆積，便于日常清潔維護。

核心部件的用材與設計直接決定觀測精度。其場發(fā)射電子槍采用鎢單晶針尖，針尖曲率半徑小于 10nm，能穩(wěn)定發(fā)射高亮度電子束，且使用壽命可達 2000 小時以上，減少頻繁更換的維護成本。電子光學系統(tǒng)搭載多層膜電磁透鏡，透鏡材質為高純度軟磁合金，經過精密退火處理，可有效降低磁場干擾，確保電子束聚焦精度。樣品室采用不銹鋼材質，內壁經過電解拋光處理，表面粗糙度 Ra≤0.2μm，既能減少電子散射干擾，又能耐受酒精、丙酮等常用清潔劑的擦拭，保持樣品室潔凈。

操作界面設計注重實用性，配備 15.6 英寸高清觸控屏，支持多點觸控與手勢縮放，常用功能（如放大、聚焦、圖像保存）可通過快捷鍵一鍵調用。設備側面預留 USB3.0、HDMI 等接口，方便連接外部存儲設備與顯示終端，數(shù)據(jù)導出與結果展示更為靈活。此外，樣品臺采用電動驅動設計，支持 X/Y/Z 三軸移動，最大行程分別為 50mm×50mm×20mm，移動精度可達 1μm，適配不同尺寸樣品的觀測需求。

二、產品性能表現(xiàn)

分辨率與放大倍數(shù)：ZEM20Ultro 在二次電子成像模式下，分辨率可達 1.5nm（加速電壓 30kV 時），10nm（加速電壓 1kV 時），能清晰呈現(xiàn)納米級別的微觀結構，如金屬納米顆粒的形貌、半導體芯片的電路細節(jié)。放大倍數(shù)范圍覆蓋 20×-1,000,000×，從宏觀樣品全貌觀測到微觀細節(jié)分析均可無縫切換，無需更換物鏡或調整光路。

電子束穩(wěn)定性：設備搭載數(shù)字式電子束控制模塊，加速電壓調節(jié)范圍為 0.1kV-30kV，電流調節(jié)范圍為 1pA-100nA，輸出穩(wěn)定性≤0.5%/h。即使在長時間連續(xù)觀測（如 8 小時以上）中，電子束的強度與聚焦位置變化極小，確保獲取的圖像序列一致性良好，適合動態(tài)過程觀測（如材料高溫下的結構變化）。

樣品兼容性：支持導電與非導電樣品觀測，非導電樣品無需復雜鍍膜處理，通過設備內置的低真空模式（真空度范圍 1Pa-100Pa），可直接觀測塑料、陶瓷、生物組織等絕緣樣品，避免鍍膜過程對樣品表面結構的破壞。樣品臺最大承載重量為 50g，可適配直徑≤30mm、厚度≤10mm 的樣品，滿足多數(shù)實驗室與生產車間的樣品規(guī)格需求。

三、用途與使用說明

（一）主要用途

材料科學領域：觀測金屬材料的顯微組織、晶粒大小與分布，分析復合材料的界面結合狀態(tài)，研究納米材料的形貌與尺寸分布，為材料性能優(yōu)化與新型材料研發(fā)提供微觀數(shù)據(jù)支撐。

生命科學領域：在低真空模式下觀測生物組織切片、細胞涂片的表面形貌，無需脫水或鍍膜處理，保持樣品自然狀態(tài)；分析醫(yī)用材料（如人工gu、支架）的表面孔隙結構，評估其生物相容性。

電子制造領域：檢測半導體芯片的焊接缺陷（如虛焊、焊球氧化）、PCB 板的線路腐蝕與斷線，觀測微型電子元件（如 MEMS 傳感器）的結構完整性，助力電子產品質量控制。

（二）使用說明（以 “非導電陶瓷樣品表面觀測" 為例）

樣品準備：將陶瓷樣品切割為直徑≤20mm、厚度≤5mm 的小塊，用無塵布蘸取酒精清潔表面，去除粉塵與油污；若樣品表面存在尖銳邊緣，用砂紙輕微打磨，避免損壞樣品臺或影響觀測角度。

設備啟動與真空準備：打開 ZEM20Ultro 主機電源，啟動配套操作軟件，選擇 “低真空模式"，設置真空度為 10Pa（根據(jù)樣品絕緣程度調整）；點擊 “抽真空" 按鈕，設備自動完成預抽與主抽真空流程，待真空度達到設定值后（軟件提示 “真空就緒"），進入下一步操作。

樣品裝載與定位：打開樣品室門，將樣品放置在樣品臺中心，通過樣品臺微調旋鈕固定樣品；關閉樣品室門，在軟件界面控制 X/Y 軸移動，將觀測區(qū)域調整至視野中心，調節(jié) Z 軸高度，使樣品表面與電子束聚焦平面重合。

成像參數(shù)設置：選擇 “二次電子成像" 模式，設置加速電壓為 10kV（兼顧分辨率與樣品損傷），電子束電流為 10pA，掃描速度為 “標準模式"（幀頻 5fps）；點擊 “自動聚焦" 與 “自動亮度 / 對比度"，軟件自動優(yōu)化成像參數(shù)，獲取清晰的樣品表面圖像。

圖像采集與保存：調整放大倍數(shù)（如先以 1000× 觀測整體形貌，再以 50000× 觀測細節(jié)），通過觸控屏或鼠標拖動選擇感興趣區(qū)域；點擊 “圖像保存"，選擇保存格式（BMP、TIFF 或 JPEG），設置文件名稱與存儲路徑，完成圖像采集；若需進行多區(qū)域觀測，重復步驟 4-5，或設置 “自動掃描序列" 實現(xiàn)批量采集。

設備關閉：觀測完成后，將放大倍數(shù)調至（20×），點擊 “放氣" 按鈕，待樣品室恢復大氣壓后，打開樣品室門取出樣品；關閉操作軟件，依次關閉主機電源與真空系統(tǒng)電源，清潔樣品臺與設備表面，完成本次操作。

四、ZEM20Ultro 參數(shù)表

項目	規(guī)格參數(shù)
設備型號	ZEM20Ultro（臺式場發(fā)射掃描電子顯微鏡）
成像模式	二次電子成像（SE）、背散射電子成像（BSE，可選配）
分辨率（二次電子）	1.5nm（30kV），10nm（1kV）
放大倍數(shù)	20×-1,000,000×
加速電壓	0.1kV-30kV
電子束電流	1pA-100nA
真空系統(tǒng)	高真空模式：≤1×10??Pa；低真空模式：1Pa-100Pa
樣品臺	X/Y/Z 三軸電動，行程 50mm×50mm×20mm，移動精度 1μm，最大承載 50g
樣品兼容性	導電 / 非導電樣品（低真空模式支持非導電樣品）
操作界面	15.6 英寸高清觸控屏，支持快捷鍵與手勢操作
數(shù)據(jù)輸出	USB3.0、HDMI，支持 BMP/TIFF/JPEG 格式圖像保存，可導出原始數(shù)據(jù)用于后期分析
設備尺寸（長 × 寬 × 高）	約 850mm×650mm×1000mm
設備重量	約 120kg
電源要求	220V AC，50/60Hz，最大功率 1500W
工作環(huán)境	溫度 20-28℃，相對濕度 30%-70%（無冷凝），無強磁場與振動干擾